转自：沈阳日报

　　3月26日，在全球半导体行业盛会SEMICON China2025展会上，我国高端半导体设备领军企业——拓荆科技股份有限公司（以下简称拓荆科技）重磅发布ALD系列、3D-IC及先进封装系列、CVD系列新品，全面展示了其在薄膜沉积和先进封装领域的技术突破与产业布局。此次发布标志着拓荆科技从“国产替代”迈向“技术引领”的战略升级，为我国半导体产业链自主可控注入强劲动力。

　　进一步巩固行业领军地位

　　作为国内半导体薄膜沉积设备的龙头企业，拓荆科技长期专注于PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）等核心设备的研发与产业化，其产品与光刻机、刻蚀机并称芯片制造三大主设备。公司技术实力雄厚，成熟产品的关键性能指标已达国际先进水平，客户覆盖国内外主流芯片制造商。2024年，拓荆科技反应腔出货量突破1000台，创历史新高，进一步巩固了其行业领军地位。

　　创新驱动发展，科技引领未来。拓荆科技始终将研发作为核心竞争力，近三年研发投入累计超12亿元，2024年前三季度研发费用同比增长35.73%。高强度的投入结出丰硕成果：Flowable CVD（化学气相沉积）设备、PE-ALD SiN（等离子体增强原子层沉积）工艺设备等多项新产品实现产业化，新型设备平台及反应腔获客户重复订单，推动业绩高速增长。2024年业绩快报显示，公司全年营收达41.03亿元，同比大增51.7%，净利润6.88亿元，连续多年保持稳健增长态势。

　　打造区域性半导体装备平台

　　在技术突破与市场拓展双轮驱动下，拓荆科技产能布局再落关键一子。本月，总投资20亿元的“高端半导体设备产业化基地”项目在浑南区正式开工。项目规划建设15.3万平方米高等级洁净厂房等，预计建成后人员规模达3000人，年产能提升至1300台套，较现有基地扩大4倍。该基地将聚焦PECVD、ALD等先进制程设备研发与量产，打造区域性半导体装备创新平台，带动产业链协同发展，有力保障我国集成电路产业对高端装备的战略需求。

　　　　，拓荆科技新品首发 从“国产替代”迈向“技术引领”）

　　拓荆科技董事长吕光泉表示：“过去十年，我们突破‘卡脖子’技术，实现了薄膜沉积设备的国产替代。如今，拓荆科技已从前道工艺设备延伸至3D-IC和先进封装领域，这是中国半导体装备从追赶走向超越的重要里程碑！”

　　谈及未来战略，吕光泉目光坚定：“2025年，我们将确保研发投入占比不低于营收的20%。沈阳新基地的投产，不仅让产能翻四番，更将成为技术创新的策源地。这里每下线一台设备，都是中国半导体产业链自主化的坚实一步！”他特别强调，拓荆科技的目标不仅是填补国内空白，“我们要用‘硬核科技’打破国际垄断，让全球顶尖芯片制造商主动选择中国方案！”

　　沈阳日报、沈报全媒体记者 黄超